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半导体硅片回收:"晶圆有些什么尺寸?"
[2018-08-29 11:44]
半导体硅片回收:"晶圆有些什么尺寸?"晶圆尺寸: 技术发展进程不一,现本公司主要经营:6寸,8寸,12寸抛光片
硅晶圆尺寸最大达 12 寸, 化合物半导体晶圆尺寸最大为 6 英寸。 硅晶圆衬底主流尺寸为 12 英寸,约占全球硅晶圆产能 65%, 8 寸也是常用的成熟制程晶圆,全球产能占比 25%。GaAs 衬底主流尺寸为 4 英寸及 6 英寸; SiC 衬底主流供应尺寸为 2 英寸及 4 英寸; GaN 自支撑衬底以 2 英寸为主 【半导体硅片回收】

 
 
SiC 衬底目前尺寸已达 6 英寸, 8 英寸正在研发(II-VI 公司已制造出样品) 。而实际上主流采用的仍为 4 英寸晶圆。主要原因是(1)目前 6 英寸 SiC 晶圆大概是 4 英寸成本的 2.25倍,到 2020 年大概为 2 倍,在成本缩减上并没有大的进步,并且更换设备机台需要额外的资本支出, 6 英寸目前优势仅在生产效率上;(2) 6 英寸 SiC 晶圆相较于 4 英寸晶圆在品质上偏低,因而目前 6 英寸主要用于制造二极管,在较低质量晶圆上制造二极管比制造MOSFET 更为简单。
SiC 衬底目前尺寸已达 6 英寸, 8 英寸正在研发(II-VI 公司已制造出样品) 。而实际上主流采用的仍为 4 英寸晶圆。主要原因是(1)目前 6 英寸 SiC 晶圆大概是 4 英寸成本的 2.25倍,到 2020 年大概为 2 倍,在成本缩减上并没有大的进步,并且更换设备机台需要额外的资本支出, 6 英寸目前优势仅在生产效率上;(2) 6 英寸 SiC 晶圆相较于 4 英寸晶圆在品质上偏低,因而目前 6 英寸主要用于制造二极管,在较低质量晶圆上制造二极管比制造MOSFET 更为简单。