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半导体硅片回收:"半导体晶圆的衬底与外延工艺
[2018-08-29 11:41]
晶圆制备: 衬底与外延工艺
 
晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。 衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片, 衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工生产外延片。 外延(epitaxy)是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程,新单晶可以与衬底为同一材料,也可以是不同材料。 外延可以生产种类更多的材料,使得器件设计有了更多选择。【半导体硅片回收】
衬底制备的基本步骤如下: 半导体多晶材料首先经过提纯、掺杂和拉制等工序制得单晶材料,以硅为例, 硅砂首先提炼还原为纯度约 98%的冶金级粗硅,再经多次提纯,得到电子级高纯度多晶硅(纯度达 99.9999999%以上, 9~11 个 9),经过熔炉拉制得到单晶硅棒。单晶材料经过机械加工、化学处理、 表面抛光和质量检测,获得符合一定标准(厚度、晶向、平整度、平行度和损伤层)的单晶抛光薄片。 抛光目的是进一步去除加工表面残留的损伤层,抛光片可直接用于制作器件,也可作为外延的衬底材料。
晶圆制备: 衬底与外延工艺 半导体硅片又叫晶圆片
晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。 衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片, 衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工生产外延片。 外延(epitaxy)是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程,新单晶可以与衬底为同一材料,也可以是不同材料。 外延可以生产种类更多的材料,使得器件设计有了更多选择